Gamintojo produkto numeris:
TSM80N1R2CI C0G
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM80N1R2CI C0G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventorius:
12897909
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM80N1R2CI C0G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
685 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
ITO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pagrindinio produkto numeris
TSM80
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM80N1R2CI C0G-DG
TSM80N1R2CIC0G
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TSM80N1R2CI
GAMINTOJAS
Taiwan Semiconductor Corporation
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
TSM80N1R2CI-DG
VISO KAINA
2.88
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
TSM150NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
TSM7ND60CI
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220
